自家有代工厂，三星仍拟找台积电！英伟达定制HBM牵动制造分工

10月18日，三星电子据报将按英伟达要求，采用台积电3纳米工艺制造定制高带宽内存NVHBM的逻辑底座芯片（base die），DRAM核心裸片仍由三星生产。路透社当日转引了这一消息。

简单来说，HBM是为AI芯片高速供给数据的内存，逻辑底座承担接口与数据传输等功能。如果上述安排落地，三星将为英伟达的定制产品引入外部逻辑制造能力，客户的架构要求将进一步影响存储企业的制造分工。

此次涉及的是英伟达定制NVHBM产品的供应链安排。英伟达此前已公布NVHBM架构，将原本位于计算芯片上的内存控制器集成到HBM逻辑底座。随着底座承担更多功能，其设计和制造也需要与计算芯片更紧密地协同。[3]

上述制造安排仍待相关公司正式确认，具体订单规模、量产及交付时间尚未披露。

控制器移入HBM，逻辑底座承担更多功能

HBM由多层DRAM裸片堆叠构成，下方的逻辑底座负责接口及数据传输等功能。随着更多功能被集成到底座，其设计复杂度、制程选择和制造能力，对整套内存系统的影响随之增加。

英伟达于8月26日发布的官方资料显示，NVHBM将其定制内存控制器集成到HBM底座，为GPU等计算芯片释放硅片面积，并改善内存带宽和功耗。

按照英伟达公布的指标，相较标准HBM4E，NVHBM内存带宽最高提升30%，HBM功耗最高降低15%。当然，这些属于英伟达公布的架构指标，具体产品表现仍需结合最终实现与验证结果判断。

因此，此次报道中的3纳米工艺，对应的是逻辑底座芯片；堆叠在其上方、承担数据存储功能的DRAM裸片，采用相应的存储制造工艺。

特定产品引入外部代工，三星保留其他HBM内部生产

三星此前主要强调内部存储、晶圆代工与封装能力的协同。

公司5月29日发布的HBM4E送样公告显示，该产品采用三星1c DRAM工艺，以及三星晶圆代工部门的4纳米逻辑底座。

与这一方案相比，此次报道涉及的是英伟达定制NVHBM。

据悉，三星仍计划对标准HBM及其他客户定制产品保持内部生产，并评估以自身晶圆代工能力承接NVHBM底座的可能性。

同一家存储企业，可能根据不同客户的架构要求，采用不同的逻辑底座与制造组合。在这一模式下，客户定制需求会更深入地影响存储产品设计和供应链组织。

HBM供给需要同时看存储、逻辑与封装

如果上述安排落地，观察HBM供应能力，需要同时跟踪DRAM制造、逻辑底座产能、先进封装及客户验证进度。

英伟达此前还明确，NVHBM将采用可由多家存储供应商提供的标准化实现，以减少不同供应商之间的集成与验证工作。

这将呈现出一种更具体的产业分工：加速器设计企业提出统一架构要求，存储企业围绕这一架构组织DRAM、逻辑底座和封装资源。存储供应商的竞争，也会进一步涉及产品适配、制造协同与稳定交付。

从投资与产能配置看，HBM需求增长所对应的制造机会，可能分布到DRAM、逻辑底座和先进封装等多个环节。、

对国内存储、芯片设计及封装产业链，相应的观察维度也包括逻辑底座设计能力、工艺适配和系统验证。

相关进展最终仍需通过客户认证、量产良率与实际交付体现。

参考资料

[1] SEOUL ECONOMIC DAILY. Samsung, TSMC Join Forces to Expand Custom HBM Output forNvidia[EB/OL].(2026-10-18)[2026-10-19].

[2] REUTERS. Samsung to use TSMC technology for Nvidia's next-generation memory chips,Seoul newspaper reports[EB/OL]. (2026-10-18)[2026-10-19].

[3] NVIDIA. NVIDIA NVLink Fusion Expands With NVHBM Custom High-BandwidthMemory[EB/OL]. (2026-08-26)[2026-10-19].

[4] SAMSUNG ELECTRONICS. Samsung Electronics Begins Shipment of Industry-First HBM4ESamples[EB/OL]. (2026-05-29)[2026-10-19].